Microchip N-kanalig DMOS FET Kanal, Enkla MOSFETs, 350 mA 500 V Utarmningsläge, 3 Ben, TO-252 (D-PAK-3), DN3765

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 2000 enheter)*

69 760,00 kr

(exkl. moms)

87 200,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2000 +34,88 kr69 760,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
598-171
Tillv. art.nr:
DN3765K4-G
Tillverkare / varumärke:
Microchip
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Microchip

Produkttyp

Enkla MOSFETs

Kanaltyp

N-kanalig DMOS FET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

350mA

Maximal källspänning för dränering Vds

500V

Serie

DN3765

Kapseltyp

TO-252 (D-PAK-3)

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

10Ω

Kanalläge

Utarmningsläge

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

2.5W

Framåtriktad spänning Vf

1.8V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

RoHS, ISO/TS‑16949

Längd

4.4mm

Bredd

3 mm

Höjd

2.29mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN
The Microchip Depletion-mode (normally-on) transistor utilizes an advanced vertical DMOS structure and well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. Vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.

High input impedance

Low input capacitance

Fast switching speeds

Low on resistance

Free from secondary breakdown

Low input and output leakage

Relaterade länkar