STMicroelectronics N-kanal Typ N Kanal, MOSFET, 54 A 600 V Förbättring, 7 Ben, HU3PAK, STHU60 AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 600 enheter)*

31 192,80 kr

(exkl. moms)

38 991,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 05 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
600 +51,988 kr31 192,80 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
481-130
Tillv. art.nr:
STHU60N046DM9AG
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

54A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Serie

STHU60

Kapseltyp

HU3PAK

Typ av fäste

Yta

Antal ben

7

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Transistorkonfiguration

N-kanal

Längd

11.9mm

Höjd

3.6mm

Standarder/godkännanden

AEC-Q101

Fordonsstandard

AEC-Q101

COO (ursprungsland):
JP
The STMicroelectronics N-Channel Power MOSFET is based on advanced super-junction MDmesh DM9 technology, designed for medium to high voltage applications. It features very low RDS(on) per area and an integrated fast-recovery diode. The DM9 technology uses a multi-drain manufacturing process to enhance device structure and performance. With low recovery charge (Qrr), fast recovery time (trr), and low RDS(on), this fast-switching MOSFET is ideal for high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

Low gate charge and resistance

100% avalanche tested

Extremely high dv/dt ruggedness

Excellent switching performance thanks to the extra driving source pin

AEC-Q101 qualified

Relaterade länkar