STMicroelectronics N-kanal Typ N Kanal, MOSFET, 54 A 600 V Förbättring, 7 Ben, HU3PAK, STHU60 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 481-132
- Tillv. art.nr:
- STHU60N046DM9AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 enhet)*
89,94 kr
(exkl. moms)
112,42 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 290 enhet(er) från den 04 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 89,94 kr |
| 10 - 49 | 72,80 kr |
| 50 - 99 | 55,78 kr |
| 100 + | 49,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 481-132
- Tillv. art.nr:
- STHU60N046DM9AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 54A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Serie | STHU60 | |
| Kapseltyp | HU3PAK | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 7 | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | N-kanal | |
| Standarder/godkännanden | AEC-Q101 | |
| Längd | 11.9mm | |
| Höjd | 3.6mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 54A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Serie STHU60 | ||
Kapseltyp HU3PAK | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 7 | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Transistorkonfiguration N-kanal | ||
Standarder/godkännanden AEC-Q101 | ||
Längd 11.9mm | ||
Höjd 3.6mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
The STMicroelectronics N-Channel Power MOSFET is based on advanced super-junction MDmesh DM9 technology, designed for medium to high voltage applications. It features very low RDS(on) per area and an integrated fast-recovery diode. The DM9 technology uses a multi-drain manufacturing process to enhance device structure and performance. With low recovery charge (Qrr), fast recovery time (trr), and low RDS(on), this fast-switching MOSFET is ideal for high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
Low gate charge and resistance
100% avalanche tested
Extremely high dv/dt ruggedness
Excellent switching performance thanks to the extra driving source pin
AEC-Q101 qualified
Relaterade länkar
- STMicroelectronics N-kanal Typ N Kanal 54 A 600 V Förbättring HU3PAK, STHU60 AEC-Q101
- STMicroelectronics N-kanal Kanal 60 A 650 V Förbättring HU3PAK, Sct AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal 55 A 30 V Förbättring HU3PAK, STH AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal 30 A 1200 V Förbättring HU3PAK, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics N-kanal Typ N Kanal 51 A 650 V N HU3PAK, STHU65 AEC-Q101
- STMicroelectronics N-kanal Kanal 26 A 650 V N HU3PAK, STHU65N1 AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal 30 A 750 V Förbättring HU3PAK, SCT060HU
- STMicroelectronics Typ N Kanal 29 A 600 V HU3PAK, STHU36N AEC-Q101