Starpower Enkel omkopplare Kanal, SiC Mosfet utan diod, 37 A 1200 V N, 4 Ben, Tejp och rulle, DOSEMI

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

80,29 kr

(exkl. moms)

100,36 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 10 enhet(er) är redo att levereras
  • Dessutom levereras 30 enhet(er) från den 26 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 980,29 kr
10 - 9972,24 kr
100 - 49966,53 kr
500 - 99961,82 kr
1000 +50,29 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
427-759
Tillv. art.nr:
DM800S12TDRB
Tillverkare / varumärke:
Starpower
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Starpower

Produkttyp

SiC Mosfet utan diod

Kanaltyp

Enkel omkopplare

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

37A

Maximal källspänning för dränering Vds

1200V

Kapseltyp

Tejp och rulle

Serie

DOSEMI

Fästetyp

Genomgående hål

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

105mΩ

Kanalläge

N

Framåtriktad spänning Vf

4.1V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

162W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

36nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

22 V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN
The Starpower MOSFET Power Discrete provides ultralow conduction loss as well as low switching loss. They are designed for the applications such as hybrid and electric vehicle.

SiC power MOSFET

Low RDS(on)

Low inductance case avoid oscillations

ROHS

Relaterade länkar