Starpower DOSEMI Single Switch-Channel SiC Mosfet without Diode, 37 A, 1200 V N, 4-Pin Tape & Reel DM800S12TDRB

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

80,29 kr

(exkl. moms)

100,36 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 10 enhet(er) från den 19 januari 2026
  • Dessutom levereras 30 enhet(er) från den 10 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 980,29 kr
10 - 9972,24 kr
100 - 49966,53 kr
500 - 99961,82 kr
1000 +50,29 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
427-759
Tillv. art.nr:
DM800S12TDRB
Tillverkare / varumärke:
Starpower
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Starpower

Channel Type

Single Switch

Product Type

SiC Mosfet without Diode

Maximum Continuous Drain Current Id

37A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Package Type

Tape & Reel

Series

DOSEMI

Mount Type

Through Hole

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

105mΩ

Channel Mode

N

Forward Voltage Vf

4.1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22 V

Maximum Power Dissipation Pd

162W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

36nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The Starpower MOSFET Power Discrete provides ultralow conduction loss as well as low switching loss. They are designed for the applications such as hybrid and electric vehicle.

SiC power MOSFET

Low RDS(on)

Low inductance case avoid oscillations

ROHS

relaterade länkar