Starpower Enkel omkopplare Kanal, SiC Mosfet utan diod, 64 A 1200 V N, 4 Ben, Tejp och rulle, DOSEMI

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

126,78 kr

(exkl. moms)

158,48 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 30 enhet(er) från den 13 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 9126,78 kr
10 - 99114,13 kr
100 - 499105,17 kr
500 - 99997,55 kr
1000 +79,41 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
427-757
Tillv. art.nr:
DM400S12TDRB
Tillverkare / varumärke:
Starpower
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Starpower

Produkttyp

SiC Mosfet utan diod

Kanaltyp

Enkel omkopplare

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

64A

Maximal källspänning för dränering Vds

1200V

Kapseltyp

Tejp och rulle

Serie

DOSEMI

Fästetyp

Genomgående hål

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

55.2mΩ

Kanalläge

N

Maximal effektförlust Pd

268W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

22 V

Framåtriktad spänning Vf

3.85V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

86.6nC

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN
The Starpower MOSFET Power Discrete provides ultra low conduction loss as well as low switching loss. They are designed for the applications such as hybrid and electric vehicle.

SiC power MOSFET

Low RDS(on)

Low inductance case avoid oscillations

ROHS

Relaterade länkar