Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 76 A 100 V Förbättring, 6 Ben, PG-VSON-6, IGC033
- RS-artikelnummer:
- 351-970
- Tillv. art.nr:
- IGC033S101XTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 2 enheter)*
75,15 kr
(exkl. moms)
93,938 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 5 000 enhet(er) från den 16 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 37,575 kr | 75,15 kr |
| 20 - 198 | 33,88 kr | 67,76 kr |
| 200 - 998 | 31,19 kr | 62,38 kr |
| 1000 - 1998 | 28,95 kr | 57,90 kr |
| 2000 + | 25,93 kr | 51,86 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 351-970
- Tillv. art.nr:
- IGC033S101XTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 76A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | PG-VSON-6 | |
| Serie | IGC033 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3.3mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 5.5 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 11nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 45W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | JEDEC | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 76A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp PG-VSON-6 | ||
Serie IGC033 | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3.3mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 5.5 V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 11nC | ||
Maximal effektförlust Pd 45W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden JEDEC | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
The Infineon CoolGaN Transistor is a normally-off e-mode power transistor housed in a small PQFN 3x5 package, enabling high power density designs. Its low on-state resistance, it is the ideal choice for reliable performance in demanding high-voltage and high-current applications.
Best in class power density
Highest efficiency
Improved thermal management
Enabling smaller and lighter designs
Excellent reliability
Lowering BOM cost
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal 76 A 100 V Förbättring PG-VSON-6, IGC033
- Infineon Typ P Kanal 76 A 100 V Förbättring PG-VSON-6, CoolGaN
- Infineon Typ P Kanal 76 A 100 V Förbättring PG-TSON-6-2, CoolGaN
- Infineon Typ N Kanal 21 A 700 V Förbättring PG-VSON-4, IPL
- Infineon AEC-Q100 7 Ben, PG-VSON-6
- Infineon Typ N Kanal 10 A 700 V Förbättring PG-VSON-4, CoolMOS C7
- Infineon Likriktare och Schottky-diod 650 V 5 Ben PG-VSON-4
- Infineon MOSFET 2 A PG-VSON-10
