Infineon Typ N Kanal, Effekttransistor, 87 A 200 V Förbättring, 7 Ben, PG-TO263-7, IPF

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

114,80 kr

(exkl. moms)

143,50 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 1 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 1857,40 kr114,80 kr
20 - 19851,63 kr103,26 kr
200 - 99847,655 kr95,31 kr
1000 - 199844,24 kr88,48 kr
2000 +39,59 kr79,18 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
349-408
Tillv. art.nr:
IPF129N20NM6ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

Effekttransistor

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

87A

Maximal källspänning för dränering Vds

200V

Serie

IPF

Kapseltyp

PG-TO263-7

Typ av fäste

Yta

Antal ben

7

Maximal drain-källresistans Rds

12.9mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

234W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

37nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

IEC61249-2-21, JEDEC for Industrial Applications, J-STD-020, RoHS

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
MY
The Infineon OptiMOS 6 Power Transistor, 120 V is an N-channel, normal level MOSFET designed for high efficiency power applications. It features very low on-resistance (RDS(on)), reducing conduction losses and improving overall efficiency. With an excellent gate charge x RDS(on) product (FOM), it offers superior switching performance. The device also has very low reverse recovery charge (Qrr), ensuring efficient operation.

Pb free lead plating and RoHS compliant

Halogen free according to IEC61249-2-21

MSL 1 classified according to J-STD-020

Relaterade länkar