Infineon Typ N Kanal, Effekttransistor, 254 A 120 V Förbättring, 7 Ben, PG-TO263-7, IPF

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

137,87 kr

(exkl. moms)

172,338 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 1868,935 kr137,87 kr
20 - 19862,05 kr124,10 kr
200 +57,175 kr114,35 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
349-402
Tillv. art.nr:
IPF019N12NM6ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

Effekttransistor

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

254A

Maximal källspänning för dränering Vds

120V

Kapseltyp

PG-TO263-7

Serie

IPF

Typ av fäste

Yta

Antal ben

7

Maximal drain-källresistans Rds

1.9mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

395W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

113nC

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

IEC61249-2-21, MSL1 J-STD-020, RoHS

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
MY
The Infineon OptiMOS 6 Power Transistor, 120 V is an N-channel, normal level MOSFET designed for high efficiency power applications. It features very low on-resistance (RDS(on)), reducing conduction losses and improving overall efficiency. With an excellent gate charge x RDS(on) product (FOM), it offers superior switching performance. The device also has very low reverse recovery charge (Qrr), ensuring efficient operation.

Optimized for high frequency switching

Pb free lead plating and RoHS compliant

Halogen free according to IEC61249-2-21

MSL 1 classified according to J-STD-020

Relaterade länkar