Infineon N Kanal, Effekttransistor, 254 A 120 V Förbättring, 7 Ben, PG-TO263-7, IPF
- RS-artikelnummer:
- 349-402
- Tillv. art.nr:
- IPF019N12NM6ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Få en mängdrabatt
Lägg till 20 till för att spara 179,20 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
177,86 kr
(exkl. moms)
222,32 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 2 - 18 | 88,93 kr | 177,86 kr | - |
| 20 - 198 | 79,97 kr | 159,94 kr | 179,20 kr |
| 200 + | 73,695 kr | 147,39 kr | 3 047,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 349-402
- Tillv. art.nr:
- IPF019N12NM6ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | Effekttransistor | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 254A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 120V | |
| Serie | IPF | |
| Kapseltyp | PG-TO263-7 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 7 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.9mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 395W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 113nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | IEC61249-2-21, MSL1 J-STD-020, RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp Effekttransistor | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 254A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 120V | ||
Serie IPF | ||
Kapseltyp PG-TO263-7 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 7 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.9mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 395W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 113nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden IEC61249-2-21, MSL1 J-STD-020, RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
Infineon OptiMOS 6 effekttransistor, 120 V är en N-kanal, normal nivå MOSFET utformad för högeffektiva effekttillämpningar. Den har mycket låg påslagningsresistans (RDS(on)), vilket minskar ledningsförluster och förbättrar den totala effektiviteten. Med en utmärkt grindladdning x RDS(on)-produkt (FOM) erbjuder den överlägsen omkopplingsprestanda. Enheten har också mycket låg omvänd återställningsladd (Qrr), vilket säkerställer effektiv drift.
Optimerad för högfrekvensomkoppling
Blyfri plätering och RoHS-kompatibel
Halogenfri enligt IEC61249-2-21
MSL 1 klassificerad enligt J-STD-020
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, Effekttransistor, 207 A 135 V Förbättring, 7 Ben, PG-TO263-7, IPF
- Infineon N Kanal, Effekttransistor, 87 A 200 V Förbättring, 7 Ben, PG-TO263-7, IPF
- Infineon N Kanal, Effekttransistor, 138 A 200 V Förbättring, 7 Ben, PG-TO263-7, IPF
- Infineon N Kanal, Effekttransistor, 250 A 135 V Förbättring, 7 Ben, PG-TO263-7, IPF
- Infineon 1 N Kanal, MOSFET 650 V Förbättring, 7 Ben, PG-TO263-7, AIK
- Infineon N Kanal, MOSFET, 115 A 650 V Förbättring, 7 Ben, PG-TO263-7, CoolSiC
- Infineon N Kanal, MOSFET, 158 A 650 V Förbättring, 7 Ben, PG-TO263-7, IMBG65
- Infineon N Kanal, MOSFET, 68 A 650 V Förbättring, 7 Ben, PG-TO263-7, IMBG65