Infineon Typ N Kanal, Effekttransistor, 138 A 200 V Förbättring, 7 Ben, PG-TO263-7, IPF

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

86,69 kr

(exkl. moms)

108,36 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 1 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 986,69 kr
10 - 9978,06 kr
100 - 49971,90 kr
500 - 99966,75 kr
1000 +59,81 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
349-407
Tillv. art.nr:
IPF067N20NM6ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

Effekttransistor

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

138A

Maximal källspänning för dränering Vds

200V

Serie

IPF

Kapseltyp

PG-TO263-7

Typ av fäste

Yta

Antal ben

7

Maximal drain-källresistans Rds

6.7mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

72nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

300W

Framåtriktad spänning Vf

1V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

100% Avalanche Tested, IEC61249-2-21, MSL1 J-STD-020, RoHS

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
MY
The Infineon OptiMOS 6 Power Transistor, 120 V is an N-channel, normal level MOSFET designed for high efficiency power applications. It features very low on-resistance (RDS(on)), reducing conduction losses and improving overall efficiency. With an excellent gate charge x RDS(on) product (FOM), it offers superior switching performance. The device also has very low reverse recovery charge (Qrr), ensuring efficient operation.

Pb free lead plating and RoHS compliant

Halogen free according to IEC61249-2-21

MSL 1 classified according to J-STD-020

Relaterade länkar