Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 8 A 600 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IPT
- RS-artikelnummer:
- 349-262
- Tillv. art.nr:
- IPT60T065S7XTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 2 enheter)*
112,00 kr
(exkl. moms)
140,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 2 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 56,00 kr | 112,00 kr |
| 20 - 198 | 50,455 kr | 100,91 kr |
| 200 - 998 | 46,48 kr | 92,96 kr |
| 1000 - 1998 | 43,12 kr | 86,24 kr |
| 2000 + | 38,695 kr | 77,39 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 349-262
- Tillv. art.nr:
- IPT60T065S7XTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 8A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | PG-HSOF-8 | |
| Serie | IPT | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 65mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 51nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 167W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.82V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | JEDEC for Industrial Applications | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 8A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp PG-HSOF-8 | ||
Serie IPT | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 65mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 51nC | ||
Maximal effektförlust Pd 167W | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.82V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden JEDEC for Industrial Applications | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
The Infineon CoolMOS S7 boasts the lowest Rdson values for an HV SJ MOSFET, with a distinctive increase in energy efficiency. The embedded Temperature sensor increases junction temperature sensing accuracy and robustness while keeping an easy and seamless implementation. CoolMOS S7 is optimized for static switching and high current applications. It is an ideal fit for solid-state relay, circuit breaker designs, and line rectification in SMPS and inverter topologies. The new temperature sensor enhances S7 features, allowing the best possible utilization of the power transistor.
CoolMOS S7 technology enables lowest RDS(on) in the smallest footprint
Optimized price performance in low frequency switching applications
High pulse current capability
Seamless diagnostics at the lowest system
Temperature sense feature for protection and optimized thermal device utilization
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 313 A 60 V Förbättring PG-HSOF-8, IPT
- Infineon Typ N Kanal 169 A 80 V Förbättring PG-HSOF-8, IPT
- Infineon Typ N Kanal 331 A 80 V Förbättring PG-HSOF-8, IPT
- Infineon Typ N Kanal 13 A 600 V Förbättring PG-HSOF-8, IPT
- Infineon Typ N Kanal 23 A 600 V Förbättring PG-HSOF-8, IPT
- Infineon Typ N Kanal 87 A 200 V Förbättring PG-HSOF-8, IPT
- Infineon Typ N Kanal 18 A 600 V Förbättring PG-HSOF-8, IPT
- Infineon Typ N Kanal 23 A 0.82 V Förbättring PG-HSOF-8, IPT