Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 18 A 600 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IPT
- RS-artikelnummer:
- 349-259
- Tillv. art.nr:
- IPT60R180CM8XTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
100,24 kr
(exkl. moms)
125,30 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 2 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 20,048 kr | 100,24 kr |
| 50 - 95 | 19,04 kr | 95,20 kr |
| 100 - 495 | 17,652 kr | 88,26 kr |
| 500 - 995 | 16,24 kr | 81,20 kr |
| 1000 + | 15,612 kr | 78,06 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 349-259
- Tillv. art.nr:
- IPT60R180CM8XTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 18A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | PG-HSOF-8 | |
| Serie | IPT | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 180mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 17nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 119W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | JEDEC, RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 18A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp PG-HSOF-8 | ||
Serie IPT | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 180mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 17nC | ||
Maximal effektförlust Pd 119W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden JEDEC, RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
The Infineon CoolMOS 8th generation platform is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction(SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. The 600V CoolMOS CM8 series is the successor to the CoolMOS 7. It combines the benefits of a fast switching SJ MOSFET with excellent ease of use, e.g low ringing tendency, implemented fast body diode for all products with outstanding robustness against hard commutation and excellent ESD capability. Furthermore, extremely low switching and conduction losses of CM8, make switching applications even more efficient.
Suitable for hard and soft switching topologies
Ease of use and fast design in through low ringing tendency
Simplified thermal management thanks to our advanced die attach technique
Suitable for a wide variety of applications and power ranges
Increased power density solutions enabled by using products with smaller footprint
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 8 A 600 V Förbättring PG-HSOF-8, IPT
- Infineon Typ N Kanal 313 A 60 V Förbättring PG-HSOF-8, IPT
- Infineon Typ N Kanal 169 A 80 V Förbättring PG-HSOF-8, IPT
- Infineon Typ N Kanal 331 A 80 V Förbättring PG-HSOF-8, IPT
- Infineon Typ N Kanal 13 A 600 V Förbättring PG-HSOF-8, IPT
- Infineon Typ N Kanal 23 A 600 V Förbättring PG-HSOF-8, IPT
- Infineon Typ N Kanal 87 A 200 V Förbättring PG-HSOF-8, IPT
- Infineon Typ N Kanal 23 A 0.82 V Förbättring PG-HSOF-8, IPT