Infineon AIK 1 Type N-Channel MOSFET, 650 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 AIKBE50N65RF5ATMA1

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

109,59 kr

(exkl. moms)

136,99 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 12 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 9109,59 kr
10 - 9998,78 kr
100 - 49990,94 kr
500 - 99984,45 kr
1000 +75,60 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
349-189
Tillv. art.nr:
AIKBE50N65RF5ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

PG-TO263-7

Series

AIK

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Power Dissipation Pd

326W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

108nC

Forward Voltage Vf

1.8V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Number of Elements per Chip

1

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
MY
The Infineon CoolSiC Hybrid Discrete with TRENCHSTOP 5 Fast Switching IGBT and CoolSiC schottky diode G5 is designed for automotive. It has best in class efficiency in hard switching and resonant topologies.

650 V breakdown voltage

CoolSiCTM Schottky diode G5

Low gate charge QG

Kelvin emitter connection for optimized switching performance

relaterade länkar