Infineon Typ N Kanal, Effekttransistor, 331 A 120 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOG-8, IPT
- RS-artikelnummer:
- 349-135
- Tillv. art.nr:
- IPTG017N12NM6ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 2 enheter)*
123,87 kr
(exkl. moms)
154,838 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 1 792 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 61,935 kr | 123,87 kr |
| 20 - 198 | 55,775 kr | 111,55 kr |
| 200 + | 51,465 kr | 102,93 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 349-135
- Tillv. art.nr:
- IPTG017N12NM6ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | Effekttransistor | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 331A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 120V | |
| Serie | IPT | |
| Kapseltyp | PG-HSOG-8 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.7mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Maximal effektförlust Pd | 395W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 113nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS, MSL1 J-STD-020, IEC61249-2-21 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp Effekttransistor | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 331A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 120V | ||
Serie IPT | ||
Kapseltyp PG-HSOG-8 | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.7mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Maximal effektförlust Pd 395W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 113nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS, MSL1 J-STD-020, IEC61249-2-21 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
The Infineon OptiMOS 6 Power Transistor, 120 V is an N-channel, normal level MOSFET designed for high efficiency power applications. It features very low on-resistance (RDS(on)), ensuring minimal conduction losses for improved performance. With an excellent gate charge x RDS(on) product (FOM), it enables superior switching characteristics. The MOSFET also has very low reverse recovery charge (Qrr), contributing to reduced switching losses. Its high avalanche energy rating ensures robustness under stress, and it operates reliably at a 175°C temperature, making it suitable for demanding and high temperature environments.
Optimized for high frequency switching and synchronous rectification
Pb free lead plating
RoHS compliant
Halogen free according to IEC61249-2-21
MSL 1 classified according to J-STD-020
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 297 A 135 V Förbättring PG-HSOG-8, IPT
- Infineon Typ N Kanal 212 A 135 V Förbättring PG-HSOG-8, IPT
- Infineon Typ N Kanal 52 A 650 V Förbättring PG-HSOF-8, IPT
- Infineon Typ N Kanal 297 A 135 V Förbättring PG-HSOF-8, IPT
- Infineon Typ N Kanal 137 A 200 V Förbättring PG-HSOF-8, IPT
- Infineon Typ N Kanal 70 A 600 V Förbättring PG-HSOF-8, IPT
- Infineon Typ N Kanal 331 A 80 V Förbättring PG-HSOF-8, IPT
- Infineon 15 A 600 V Förbättring PG-LSON-8-1, CoolGaN
