Infineon N Kanal, Effekttransistor, 70 A 600 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IPT
- RS-artikelnummer:
- 349-258
- Tillv. art.nr:
- IPT60R037CM8XTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
205,41 kr
(exkl. moms)
256,76 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 2 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 102,705 kr | 205,41 kr |
| 20 - 198 | 92,345 kr | 184,69 kr |
| 200 + | 85,345 kr | 170,69 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 349-258
- Tillv. art.nr:
- IPT60R037CM8XTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | Effekttransistor | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 70A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | PG-HSOF-8 | |
| Serie | IPT | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 37mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 390W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 79nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | JEDEC for Industrial Applications | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp Effekttransistor | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 70A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp PG-HSOF-8 | ||
Serie IPT | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 37mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 390W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 79nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden JEDEC for Industrial Applications | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
Infineon IPT-serien effekttransistor, 600 V maximal drain-källspänning, 70 A maximal kontinuerlig drain-ström – IPT60R037CM8XTMA1
Denna effekttransistor är en högspännings-N-kanal MOSFET som är utformad för industriell omkoppling och effektomvandlingsuppgifter. Den fungerar i ett brett omgivningsområde och är avsedd för ytmonterade enheter där robust strömhantering och hög spänningstolerans krävs. Enheten är specifik för industriella JEDEC-tillämpningar och passar miljöer som kräver hög dissipation och tillförlitlig grindstyrning.
Funktioner och fördelar:
• 600 V-klassning möjliggör högspänningsomkopplingstillämpningar
• Kontinuerlig dräneringsström på 70 A stöder hantering av tung belastning
• 37 mΩ låg Rds(on) minskar ledningsförluster
• Maximal effektförlust på 390 W möjliggör värmeutrymme
• 79 nC typisk grindladdning balanserar drivning och växlingshastighet
• ±20 V grindtolerans förenklar grinddrivarutformningen
• Kontinuerlig dräneringsström på 70 A stöder hantering av tung belastning
• 37 mΩ låg Rds(on) minskar ledningsförluster
• Maximal effektförlust på 390 W möjliggör värmeutrymme
• 79 nC typisk grindladdning balanserar drivning och växlingshastighet
• ±20 V grindtolerans förenklar grinddrivarutformningen
Användningsområden
• Lämplig för industriella motorstyrda växelriktarsteg
• Idealisk för högspänningsströmförsörjningar och omvandlare
• Används med bryggtopologier i växelriktare för förnybar energi
• Kan användas för svåra industriella strömmoduler
• Lämplig för DC/DC-omvandlingsstegen med hög strömstyrka
• Idealisk för högspänningsströmförsörjningar och omvandlare
• Används med bryggtopologier i växelriktare för förnybar energi
• Kan användas för svåra industriella strömmoduler
• Lämplig för DC/DC-omvandlingsstegen med hög strömstyrka
Vilket temperaturområde tål den under drift?
Den är specifik för drift från -55 °C upp till 150 °C, och passar tuffa termiska miljöer och tillämpningar med upphöjda höljen.
Hur är enheten förpackad för montering?
Den levereras i ett 8-stifts PG-HSOF-8-paket för ytmontering avsett för PCB-montering med omsmältning och kompakta kortlayouter.
Vilka grind- och kanalegenskaper påverkar drivkretsar?
N-kanalförstärkningsenheten har en typisk grindladdning på 79 nC och en maximal grind-till-källa-klassning på 20 V, vilket informerar om val av grinddrivare och skyddsmarginaler.
Hur påverkar den framåtriktade spänningen omkopplingsprestanda?
En framåtvänd spänning på 0,9 V bidrar till snabb påslagning av ledningen och bidrar till beräkningarna av den totala ledningsförlusten under enhetsvalet.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, Effekttransistor, 52 A 650 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IPT
- Infineon N Kanal, Effekttransistor, 137 A 200 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IPT
- Infineon N Kanal, Effekttransistor, 297 A 135 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IPT
- Infineon N Kanal, MOSFET, 8 A 600 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IPT
- Infineon N Kanal, Effekttransistor, 331 A 120 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOG-8, IPT
- Infineon N Kanal, Effekttransistor, 212 A 135 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOG-8, IPT
- Infineon N Kanal, Effekttransistor, 297 A 135 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOG-8, IPT
- Infineon N Kanal, MOSFET, 331 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IPT