Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 87 A 200 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IPT

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

78,40 kr

(exkl. moms)

98,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 1 990 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 978,40 kr
10 - 9970,45 kr
100 - 49965,07 kr
500 - 99960,48 kr
1000 +53,87 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
349-132
Tillv. art.nr:
IPT129N20NM6ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

87A

Maximal källspänning för dränering Vds

200V

Kapseltyp

PG-HSOF-8

Serie

IPT

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

12.9mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

234W

Framåtriktad spänning Vf

1V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

37nC

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
MY
The Infineon OptiMOS 6 Power Transistor, 200 V is an N-channel, normal level MOSFET designed for high efficiency power applications. It features very low on-resistance (RDS(on)), minimizing conduction losses. The excellent gate charge x RDS(on) product (FOM) ensures superior switching performance, while the very low reverse recovery charge (Qrr) contributes to efficient operation. With a high avalanche energy rating, it offers enhanced robustness, and it is capable of operating at 175°C, making it reliable even in harsh environments.

Pb free lead plating

RoHS compliant

Halogen free according to IEC61249-2-21

MSL 1 classified according to J-STD-020

Relaterade länkar