Infineon Typ N Kanal, Effekttransistor, 297 A 135 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IPT

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

115,47 kr

(exkl. moms)

144,338 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 2 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 1857,735 kr115,47 kr
20 - 19852,025 kr104,05 kr
200 - 99847,935 kr95,87 kr
1000 - 199844,465 kr88,93 kr
2000 +39,93 kr79,86 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
349-120
Tillv. art.nr:
IPT020N13NM6ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

Effekttransistor

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

297A

Maximal källspänning för dränering Vds

135V

Serie

IPT

Kapseltyp

PG-HSOF-8

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

2mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

39W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

159nC

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

IEC61249-2-21, J-STD-020, RoHS

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
MY
The Infineon OptiMOS 6 Power Transistor is an N-channel, normal level MOSFET designed for efficient power switching applications. It offers very low on-resistance (RDS(on)), reducing conduction losses and improving overall performance. With an excellent gate charge x RDS(on) product (FOM), it ensures superior switching efficiency. The MOSFET also features very low reverse recovery charge (Qrr) for better efficiency during switching events.

Optimized for motor drives and battery powered applications

Pb free lead plating

RoHS compliant

Halogen free according to IEC61249-2-21

MSL 1 classified according to J-STD-020

Relaterade länkar