STMicroelectronics, Effekt-MOSFET, 60 A 650 V, 7 Ben, HU3PAK, SCT0 AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

170,91 kr

(exkl. moms)

213,64 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 590 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 9170,91 kr
10 - 99153,89 kr
100 +141,79 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
330-233
Tillv. art.nr:
SCT027HU65G3AG
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

Effekt-MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

60A

Maximal källspänning för dränering Vds

650V

Serie

SCT0

Kapseltyp

HU3PAK

Typ av fäste

Yta

Antal ben

7

Maximal drain-källresistans Rds

29mΩ

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

60.4nC

Maximal effektförlust Pd

300W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Höjd

3.5mm

Standarder/godkännanden

RoHS

Längd

18.58mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

COO (ursprungsland):
JP
The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.

AEC-Q101 qualified

Very low RDS(on) over the entire temperature range

High speed switching performances

Very fast and robust intrinsic body diode

Source sensing pin for increased efficiency

Relaterade länkar