Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 99 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PG-TSON-8, OptiMOS
- RS-artikelnummer:
- 285-042
- Tillv. art.nr:
- IQE046N08LM5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.
- RS-artikelnummer:
- 285-042
- Tillv. art.nr:
- IQE046N08LM5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 99A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Kapseltyp | PG-TSON-8 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4.6mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | ±20 V | |
| Maximal effektförlust Pd | 100W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS Compliant | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 99A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Serie OptiMOS | ||
Kapseltyp PG-TSON-8 | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4.6mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs ±20 V | ||
Maximal effektförlust Pd 100W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS Compliant | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons MOSFET har en innovativ effektmodul som är utformad för att erbjuda hög effektivitet och tillförlitlighet i olika tillämpningar. Med banbrytande teknik säkerställer den optimal prestanda samtidigt som den behåller en kompakt storlek, vilket gör den idealisk för moderna elektroniska system. Modulens robusta konstruktion gör det möjligt för den att hantera krävande förhållanden och tillgodose branscher som kräver hållbara och effektiva ellösningar. Dess utmärkta värmehanteringsfunktioner och låga effektförluster förbättrar dess funktionalitet, vilket gör den till ett val för ingenjörer och designers som strävar efter hållbarhet och prestanda. Denna produkt utmärker sig genom att integrera mångsidighet och användarvänlighet, vilket säkerställer sömlös integration i befintliga system, medan dess användarvänliga egenskaper ökar den totala driftsupplevelsen.
Maximerar energibesparingar med hög effektivitet
Kompakt design för utrymmesbesparande installationer
Hållbar konstruktion för tuffa miljöer
Optimerad termisk prestanda minskar kylbehovet
Mångsidig användning för olika tillämpningar
Användarvänlig för enkel integration
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 99 A 80 V Förbättring PG-TSON-8, OptiMOS
- Infineon 1 Typ N Kanal 8 Ben OptiMOS 6 Power Transistor
- Infineon Typ N Kanal 99 A 80 V Förbättring PG-WHSON-8, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal 656 A 40 V Förbättring PG-TSON-12, OptiMOS-TM6
- Infineon Typ N Kanal 99 A 30 V Förbättring PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal 99 A 80 V Förbättring PG-WHTFN-9, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal 9.2 A 650 V Förbättring PG-TSON-8, IGLR65
- Infineon Typ N Kanal 13 A 650 V Förbättring PG-TSON-8, IGLR65
