Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 447 A 60 V Förbättring, 9 Ben, PG-TTFN-9, OptiMOS
- RS-artikelnummer:
- 284-944
- Tillv. art.nr:
- IQDH88N06LM5CGATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 5000 enheter)*
165 470,00 kr
(exkl. moms)
206 840,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 15 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 5000 + | 33,094 kr | 165 470,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 284-944
- Tillv. art.nr:
- IQDH88N06LM5CGATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 447A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | PG-TTFN-9 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 9 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.86mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 76nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 333W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS, IEC61249-2-21 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 447A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp PG-TTFN-9 | ||
Serie OptiMOS | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 9 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.86mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 76nC | ||
Maximal effektförlust Pd 333W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS, IEC61249-2-21 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons MOSFET har en OptiMOS 5-effekttransistor och är en högpresterande N-kanal MOSFET som är utformad för att ge exceptionell effektivitet och tillförlitlighet för industriella tillämpningar. Med hjälp av avancerad halvledarteknik ger denna komponent överlägsen värmehantering och lågt motstånd vid påverkan, vilket gör den idealisk för lösningar för effektkonvertering. Med sin höga lavinenergibetyg och rigorös validering enligt JEDEC-standarder kan du lita på att denna produkt uppfyller strikta driftskrav samtidigt som säkerheten och hållbarheten upprätthålls.
Optimerat värmebeständighet för kylning
Kvalificerad för industriell tillförlitlighet
Blyfri blybeläggning för miljövänlighet
Låga krav på grindstyrning förenklar kretsar
Robust konstruktion för höga dräneringsströmmar
100 % lavintestat för tillförlitlighet
Kompakt hus för enkel integration
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 447 A 60 V Förbättring PG-TTFN-9, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal 323 A 80 V Förbättring PG-TTFN-9, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal 445 A 60 V Förbättring PG-TTFN-9, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal 273 A 100 V Förbättring PG-TTFN-9, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal 610 A 40 V Förbättring PG-TTFN-9, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal 151 A 60 V Förbättring PG-TTFN-9, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal 789 A 25 V Förbättring PG-TTFN-9, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal 637 A 40 V Förbättring PG-TTFN-9, OptiMOS