Infineon N Kanal, MOSFET, 273 A 100 V Förbättring, 9 Ben, PG-TTFN-9, OptiMOS
- RS-artikelnummer:
- 284-935
- Tillv. art.nr:
- IQD020N10NM5CGATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
110,43 kr
(exkl. moms)
138,04 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 01 oktober 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 55,215 kr | 110,43 kr |
| 20 - 198 | 49,73 kr | 99,46 kr |
| 200 - 998 | 45,92 kr | 91,84 kr |
| 1000 - 1998 | 42,615 kr | 85,23 kr |
| 2000 + | 38,08 kr | 76,16 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 284-935
- Tillv. art.nr:
- IQD020N10NM5CGATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 273A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | PG-TTFN-9 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 9 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2.05mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 333W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS Compliant | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 273A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp PG-TTFN-9 | ||
Serie OptiMOS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 9 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2.05mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 333W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS Compliant | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- AT
Infineons MOSFET har en OptiMOS 5-effekttransistor som representerar ett betydande framsteg inom MOSFET-tekniken, skräddarsydd för krävande industriella tillämpningar. Denna robusta transistor är utformad för att leverera enastående prestanda med överlägsen termisk hantering, vilket gör den till ett idealiskt val för system som kräver effektiv energiomvandling och hantering. Med en nominell spänning på 100 V och ett imponerande lågt motstånd vid påverkan ger den här produkten förbättrad effekthantering samtidigt som den behåller låga energiförluster. Dess tillförlitliga prestanda stöds också av omfattande validering, vilket säkerställer garanterad funktionalitet under olika driftsförhållanden.
N-kanalkonstruktion för effektiv omkoppling
Lågt motstånd vid påverkan minimerar effektförlusten
Enastående värmebeständighet förlänger livslängden
100 % lavintestat för tillförlitlighet
RoHS-kompatibel för miljövänlighet
Halogenfritt material för miljönormer
Pålitlig i miljöer med höga temperaturer
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 273 A 100 V Förbättring, 9 Ben, PG-TTFN-9, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 445 A 60 V Förbättring, 9 Ben, PG-TTFN-9, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 610 A 40 V Förbättring, 9 Ben, PG-TTFN-9, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 637 A 40 V Förbättring, 9 Ben, PG-TTFN-9, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 151 A 60 V Förbättring, 9 Ben, PG-TTFN-9, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 789 A 25 V Förbättring, 9 Ben, PG-TTFN-9, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 447 A 60 V Förbättring, 9 Ben, PG-TTFN-9, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 323 A 80 V Förbättring, 9 Ben, PG-TTFN-9, OptiMOS