Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 445 A 60 V Förbättring, 9 Ben, PG-TTFN-9, OptiMOS
- RS-artikelnummer:
- 284-929
- Tillv. art.nr:
- IQD009N06NM5CGATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 2 enheter)*
81,54 kr
(exkl. moms)
101,92 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 100 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 40,77 kr | 81,54 kr |
| 20 - 198 | 36,68 kr | 73,36 kr |
| 200 - 998 | 33,88 kr | 67,76 kr |
| 1000 - 1998 | 31,36 kr | 62,72 kr |
| 2000 + | 28,17 kr | 56,34 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 284-929
- Tillv. art.nr:
- IQD009N06NM5CGATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 445A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | PG-TTFN-9 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 9 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.9mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 333W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 12nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 445A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp PG-TTFN-9 | ||
Serie OptiMOS | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 9 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.9mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 333W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 12nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons MOSFET har en OptiMOS 5-effekttransistor som är konstruerad för hög effektivitet i olika tillämpningar, vilket ger stabil drift vid en maximal spänning på 60 V. Denna N-kanal MOSFET har ett lågt motstånd på, vilket avsevärt minskar effektförlusterna, vilket säkerställer att dina konstruktioner upprätthåller optimal värmehantering även under utmanande förhållanden. Med avancerade lavinhasegenskaper och omfattande tester för tillförlitlighet tillgodoser den här enheten industriella tillämpningar som kräver överlägset värmebeständighet och robust prestanda. Den kompakta PG TTFN 9-förpackningen förbättrar integrationen i befintliga konstruktioner, vilket gör den till ett val för ingenjörer som vill förbättra sina system.
Mycket lågt motstånd vid påverkan förbättrar effektiviteten
Förbättrat värmebeständighet för prestanda
Optimerad för kontinuerliga och pulserade strömmar
Omfattande lavinmätvärden för hållbarhet
I överensstämmelse med RoHS och halogenfri
Fullt kvalificerad enligt JEDEC-standarder
Betydande besparingar på strömsvikt
Flexibelt temperaturområde för olika miljöer
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 445 A 60 V Förbättring PG-TTFN-9, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal 323 A 80 V Förbättring PG-TTFN-9, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal 273 A 100 V Förbättring PG-TTFN-9, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal 447 A 60 V Förbättring PG-TTFN-9, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal 610 A 40 V Förbättring PG-TTFN-9, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal 151 A 60 V Förbättring PG-TTFN-9, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal 789 A 25 V Förbättring PG-TTFN-9, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal 637 A 40 V Förbättring PG-TTFN-9, OptiMOS