Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 610 A 40 V Förbättring, 9 Ben, PG-TTFN-9, OptiMOS
- RS-artikelnummer:
- 284-926
- Tillv. art.nr:
- IQD005N04NM6CGATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 2 enheter)*
64,62 kr
(exkl. moms)
80,78 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 46 enhet(er) från den 16 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 32,31 kr | 64,62 kr |
| 20 - 198 | 29,12 kr | 58,24 kr |
| 200 - 998 | 26,825 kr | 53,65 kr |
| 1000 - 1998 | 24,865 kr | 49,73 kr |
| 2000 + | 22,29 kr | 44,58 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 284-926
- Tillv. art.nr:
- IQD005N04NM6CGATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 610A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | PG-TTFN-9 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 9 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.47mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 129nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 333W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 610A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp PG-TTFN-9 | ||
Serie OptiMOS | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 9 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.47mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 129nC | ||
Maximal effektförlust Pd 333W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons MOSFET har en OptiMOS 6-effekttransistor som kombinerar enastående prestanda med robust tillförlitlighet, vilket gör den till ett toppval för krävande tillämpningar. Denna N-kanal MOSFET är utformad för industriella miljöer och ger en maximal dräneringsspänning på 40 V och en imponerande kontinuerlig dräneringsström på upp till 610 A. Denna halvledarenhet utmärker sig för värmehantering, vilket gör den idealisk för inställningar med hög temperatur och hög effekt, vilket underlättar en längre livslängd och konsekvent prestanda under belastning. Med ett engagemang för miljövänlighet är den RoHS-kompatibel och halogenfri, vilket överensstämmer med moderna miljöstandarder samtidigt som den erbjuder överlägsen teknisk kvalitet.
Enastående värmebeständighet för tillförlitlighet
Robust prestanda i miljöer med hög belastning
100 % lavintestat för säkerhet
Enastående effektivitet för strömhantering
Överensstämmer med miljöbestämmelser
Minimala omkopplingsförluster för högfrekvent drift
Kompakt konstruktion minskar utrymmet på printkortet
Enkel integration i industriella system
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 610 A 40 V Förbättring PG-TTFN-9, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal 323 A 80 V Förbättring PG-TTFN-9, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal 445 A 60 V Förbättring PG-TTFN-9, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal 273 A 100 V Förbättring PG-TTFN-9, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal 447 A 60 V Förbättring PG-TTFN-9, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal 151 A 60 V Förbättring PG-TTFN-9, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal 789 A 25 V Förbättring PG-TTFN-9, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal 637 A 40 V Förbättring PG-TTFN-9, OptiMOS