onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 67 A 650 V Förbättring, 4 Ben, TO-247-4L, NTH
- RS-artikelnummer:
- 277-043
- Tillv. art.nr:
- NTH4L023N065M3S
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 enhet)*
122,08 kr
(exkl. moms)
152,60 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- 450 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 122,08 kr |
| 10 - 99 | 109,98 kr |
| 100 - 499 | 101,36 kr |
| 500 - 999 | 94,08 kr |
| 1000 + | 76,38 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 277-043
- Tillv. art.nr:
- NTH4L023N065M3S
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 67A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | TO-247-4L | |
| Serie | NTH | |
| Fästetyp | Genomgående hål | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 23mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 245W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 6V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 69nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 22 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS with exemption 7a, Halide Free, Pb-Free 2LI | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 67A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp TO-247-4L | ||
Serie NTH | ||
Fästetyp Genomgående hål | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 23mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 245W | ||
Framåtriktad spänning Vf 6V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 69nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 22 V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS with exemption 7a, Halide Free, Pb-Free 2LI | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
The ON Semiconductor SiC MOSFETs is optimized for fast switching applications. Planar technology works reliably with negative gate voltage drive and turn off spikes on the gate. This has optimum performance when driven with 18V gate drive but also works well with 15V gate drive.
Ultra low gate charge
High speed switching with low capacitance
100% avalanche tested
Device is Halide Free and RoHS compliant
Relaterade länkar
- onsemi Typ N Kanal 51 A 650 V N TO-247-4L, NTH
- onsemi Typ N Kanal 50 A 650 V N TO-247-4L, NTH
- onsemi Typ N Kanal 151 A 1200 V Förbättring TO-247-4L, NTH
- onsemi Typ N Kanal 140 A 750 V Förbättring TO-247-4L, NTH
- onsemi Typ N Kanal 40 A 650 V Förbättring TO-247, NTH
- onsemi Typ N Kanal 70 A 650 V Förbättring TO-247-3L, NTH
- onsemi 1 Typ N Kanal 4 Ben, TO-247-4L
- onsemi Typ N Kanal 58 A 1200 V Förbättring TO-247, NTH