onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 140 A 750 V Förbättring, 7 Ben, TO-247-4L, NTH
- RS-artikelnummer:
- 277-041
- Tillv. art.nr:
- NTH4L018N075SC1
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
240,58 kr
(exkl. moms)
300,72 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 19 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 240,58 kr |
| 10 - 99 | 216,50 kr |
| 100 + | 199,70 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 277-041
- Tillv. art.nr:
- NTH4L018N075SC1
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 140A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 750V | |
| Serie | NTH | |
| Kapseltyp | TO-247-4L | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 7 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 13.5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 4.5V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 262nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 500W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 140A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 750V | ||
Serie NTH | ||
Kapseltyp TO-247-4L | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 7 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 13.5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 4.5V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 262nC | ||
Maximal effektförlust Pd 500W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
The ON Semiconductor SiC MOSFET uses a completely new technology that provide superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. In addition, the low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge. Consequently, system benefits include highest efficiency, faster operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.
Ultra low gate charge
High speed switching with low capacitance
100% avalanche tested
Device is Halide Free and RoHS compliant
Relaterade länkar
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 151 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, TO-247-4L, NTH
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 67 A 650 V Förbättring, 4 Ben, TO-247-4L, NTH
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 650 V N, 4 Ben, TO-247-4L, NTH
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 51 A 650 V N, 3 Ben, TO-247-4L, NTH
- onsemi 1 Typ N Kanal, MOSFET Förbättring, 4 Ben, TO-247-4L
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, NTH
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 29 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, NTH
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 29 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, NTH