onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 140 A 750 V Förbättring, 7 Ben, TO-247-4L, NTH
- RS-artikelnummer:
- 277-041
- Tillv. art.nr:
- NTH4L018N075SC1
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
240,58 kr
(exkl. moms)
300,72 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 12 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 240,58 kr |
| 10 - 99 | 216,50 kr |
| 100 + | 199,70 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 277-041
- Tillv. art.nr:
- NTH4L018N075SC1
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 140A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 750V | |
| Kapseltyp | TO-247-4L | |
| Serie | NTH | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 7 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 13.5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 4.5V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 262nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 500W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 140A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 750V | ||
Kapseltyp TO-247-4L | ||
Serie NTH | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 7 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 13.5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 4.5V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 262nC | ||
Maximal effektförlust Pd 500W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
ON Semiconductor SiC MOSFET använder en helt ny teknik som ger överlägsen omkopplingsprestanda och högre tillförlitlighet jämfört med kisel. Dessutom säkerställer det låga ON-motståndet och kompakta chipstorleken låg kapacitans och grindladdning. Följaktligen inkluderar systemfördelarna högsta effektivitet, snabbare driftfrekvens, ökad effekttäthet, minskad EMI och minskad systemstorlek.
Ultralåg grindladdning
Höghastighetsomkoppling med låg kapacitans
100 % avalanche-testade
Enheten är halidfri och RoHS-kompatibel
Relaterade länkar
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 67 A 650 V Förbättring, 4 Ben, TO-247-4L, NTH
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 151 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, TO-247-4L, NTH
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 650 V N, 4 Ben, TO-247-4L, NTH
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 51 A 650 V N, 3 Ben, TO-247-4L, NTH
- onsemi 1 Typ N Kanal, MOSFET Förbättring, 4 Ben, TO-247-4L
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, NTH
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 58 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, NTH
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 17.3 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, NTH