onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 51 A 650 V N, 3 Ben, TO-247-4L, NTH
- RS-artikelnummer:
- 327-809
- Tillv. art.nr:
- NTHL032N065M3S
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
97,22 kr
(exkl. moms)
121,52 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 509 enhet(er) från den 31 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 97,22 kr |
| 10 - 99 | 87,47 kr |
| 100 - 499 | 80,64 kr |
| 500 - 999 | 74,82 kr |
| 1000 + | 60,59 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 327-809
- Tillv. art.nr:
- NTHL032N065M3S
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 51A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | TO-247-4L | |
| Serie | NTH | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 44mΩ | |
| Kanalläge | N | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 22V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 4.5V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 55nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 200W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 51A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp TO-247-4L | ||
Serie NTH | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 44mΩ | ||
Kanalläge N | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 22V | ||
Framåtriktad spänning Vf 4.5V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 55nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 200W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
ON Semiconductor SiC MOSFET: er är optimerade för snabba omkopplingstillämpningar, med planar teknik som säkerställer tillförlitlig drift med negativ grindspänningsdrift och avstängningsspikar på grinden. Denna familj av MOSFET-transistorer ger optimal prestanda när de drivs med en 18 V-grindstyrning men fungerar också effektivt med en 15 V-grindstyrning.
Halidfri och RoHS-kompatibel
15 V till 18 V grinddrivning
Relaterade länkar
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 650 V N, 4 Ben, TO-247-4L, NTH
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 67 A 650 V Förbättring, 4 Ben, TO-247-4L, NTH
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 140 A 750 V Förbättring, 7 Ben, TO-247-4L, NTH
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 151 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, TO-247-4L, NTH
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, NTH
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 70 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247-3L, NTH
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 650 V N, 4 Ben, TO-247-4L, NVH
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 70 A 650 V N, 3 Ben, TO-247-4L, NVH AEC-Q101