ROHM RJ1 1 Type N-Channel MOSFET, 80 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263AB RJ1P04BBHTL1

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 längd med 5 enheter)*

112,45 kr

(exkl. moms)

140,55 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 100 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per Längd*
5 - 4522,49 kr112,45 kr
50 - 9521,348 kr106,74 kr
100 - 49519,78 kr98,90 kr
500 - 99518,234 kr91,17 kr
1000 +17,516 kr87,58 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
264-883
Tillv. art.nr:
RJ1P04BBHTL1
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

ROHM

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

80A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

TO-263AB

Series

RJ1

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

8.8mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

38.0nC

Maximum Power Dissipation Pd

89W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Number of Elements per Chip

1

The ROHM Nch 100V 80A TO-263AB power MOSFET with low on-resistance and high power small mold package, suitable for switching.

Low on-resistance

High power small mold package (TO263AB)

Pb-free plating and RoHS compliant

100% UIS tested

relaterade länkar