ROHM 1 Typ N Kanal, MOSFET, 105 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-263AB, RJ1
- RS-artikelnummer:
- 264-880
- Tillv. art.nr:
- RJ1R10BBHTL1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
76,50 kr
(exkl. moms)
95,62 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 100 enhet(er) från den 24 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 76,50 kr |
| 10 - 99 | 68,99 kr |
| 100 - 499 | 63,39 kr |
| 500 - 999 | 58,91 kr |
| 1000 + | 47,94 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 264-880
- Tillv. art.nr:
- RJ1R10BBHTL1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 105A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 150V | |
| Serie | RJ1 | |
| Kapseltyp | TO-263AB | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 8.2mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 130nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 181W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Antal element per chip | 1 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 105A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 150V | ||
Serie RJ1 | ||
Kapseltyp TO-263AB | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 8.2mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 130nC | ||
Maximal effektförlust Pd 181W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Antal element per chip 1 | ||
ROHM Nch 150 V 170 A TO-263AB effekt-MOSFET med lågt motstånd vid påverkan och högeffektshölje i litet gjutform, lämplig för omkoppling.
Låg på-resistans
Högpresterande litet gjuthölje (TO263AB)
Blyfri plätering och överensstämmer med RoHS
100 % UIS-testat
Relaterade länkar
- ROHM Typ N Kanal, Enkla MOSFETs 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-263AB, RJ1
- ROHM 1 Typ N Kanal, MOSFET, 170 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263AB, RJ1
- ROHM 1 Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263AB, RJ1
- ROHM 1 Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263AB, RJ1
- ROHM Typ N Kanal, Enkla MOSFETs 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-263AB-3LSHYAD, RJ1N04BBHT
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 105 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, RX3R10BBH
- ROHM N-kanal Kanal, MOSFET, 240 A 60 V, 3 Ben, TO-263AB-3LSHYAD
- ROHM N-kanal Kanal, MOSFET, 280 A 40 V, 3 Ben, TO-263AB-3LSHYAD