ROHM 1 Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263AB, RJ1
- RS-artikelnummer:
- 264-884
- Tillv. art.nr:
- RJ1P07CBHTL1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 2 enheter)*
64,74 kr
(exkl. moms)
80,92 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 100 enhet(er) från den 24 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 32,37 kr | 64,74 kr |
| 20 - 198 | 29,175 kr | 58,35 kr |
| 200 - 998 | 26,935 kr | 53,87 kr |
| 1000 - 1998 | 24,975 kr | 49,95 kr |
| 2000 + | 20,27 kr | 40,54 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 264-884
- Tillv. art.nr:
- RJ1P07CBHTL1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 120A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | TO-263AB | |
| Serie | RJ1 | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 5.1mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 73.0nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 135W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS Compliant | |
| Antal element per chip | 1 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 120A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp TO-263AB | ||
Serie RJ1 | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 5.1mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 73.0nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 135W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS Compliant | ||
Antal element per chip 1 | ||
ROHM Nch 100 V 120 A TO-263AB effekt-MOSFET med lågt motstånd vid påverkan och högeffektshölje i litet gjutform, lämplig för omkoppling.
Låg på-resistans
Högpresterande litet gjuthölje (TO263AB)
Blyfri plätering och överensstämmer med RoHS
100 % UIS-testat
Relaterade länkar
- ROHM Typ N Kanal, Enkla MOSFETs 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-263AB, RJ1
- ROHM 1 Typ N Kanal, MOSFET, 105 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-263AB, RJ1
- ROHM 1 Typ N Kanal, MOSFET, 170 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263AB, RJ1
- ROHM 1 Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263AB, RJ1
- ROHM Typ N Kanal, Enkla MOSFETs 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-263AB-3LSHYAD, RJ1N04BBHT
- ROHM N-kanal Kanal, MOSFET, 240 A 60 V, 3 Ben, TO-263AB-3LSHYAD
- ROHM N-kanal Kanal, MOSFET, 280 A 40 V, 3 Ben, TO-263AB-3LSHYAD
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, RX3P07CBH