ROHM 1 Typ N Kanal, MOSFET, 170 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263AB, RJ1

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

73,36 kr

(exkl. moms)

91,70 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 100 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 973,36 kr
10 - 9965,97 kr
100 - 49960,93 kr
500 - 99956,45 kr
1000 +45,92 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
264-878
Tillv. art.nr:
RJ1P10BBHTL1
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

170A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Kapseltyp

TO-263AB

Serie

RJ1

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

3.0mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Maximal effektförlust Pd

189W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

135nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

RoHS Compliant

Antal element per chip

1

ROHM Nch 100 V 170 A TO-263AB effekt-MOSFET med lågt motstånd vid påverkan och högeffektshölje i litet gjutform, lämplig för omkoppling.

Låg på-resistans

Högpresterande litet gjuthölje (TO263AB)

Blyfri plätering och överensstämmer med RoHS

100 % UIS-testat

Relaterade länkar