ROHM 2 Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 60 V Förbättring, 8 Ben, HSMT-8, HP8

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 längd med 10 enheter)*

59,47 kr

(exkl. moms)

74,34 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 100 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per tejp*
10 - 905,947 kr59,47 kr
100 - 2405,656 kr56,56 kr
250 - 4905,23 kr52,30 kr
500 - 9904,816 kr48,16 kr
1000 +4,637 kr46,37 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
264-764
Tillv. art.nr:
HT8KC5TB1
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

10A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

HSMT-8

Serie

HP8

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

90mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

13W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

3.1nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

±20 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

Nej

The ROHM 60V 10A Dual Nch+Pch is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

High Power small mold Package (HSMT8)

Pb-free lead plating and RoHS compliant

Halogen Free

Relaterade länkar