Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET, 120 A, 100 V Enhancement, 4-Pin LFPAK PSMN4R8-100BSEJ

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 längd med 1 enhet)*

40,99 kr

(exkl. moms)

51,24 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 733 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Längd(er)
Per Längd
1 - 940,99 kr
10 - 9936,85 kr
100 +34,05 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
219-429
Tillv. art.nr:
PSMN4R8-100BSEJ
Tillverkare / varumärke:
Nexperia
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Nexperia

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

120A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

LFPAK

Series

PSM

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

4.8mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

25°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

10 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

278nC

Maximum Power Dissipation Pd

405W

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
PH
The Nexperia N-Channel MOSFET features very low RDS(on) and enhanced safe operating area performance. It is optimized for hot-swap controllers, capable of withstanding high inrush currents and minimizing I²R losses for improved efficiency. Applications include hot-swap, load switching, soft start, and e-fuse.

SOA for superior linear mode operation

LFPAK88 package for applications that demand the highest performance

relaterade länkar