STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 29 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, SCT AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

684,32 kr

(exkl. moms)

855,40 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 4 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 9684,32 kr
10 +616,00 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
215-223
Tillv. art.nr:
SCT015W120G3-4AG
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

29A

Maximal källspänning för dränering Vds

1200V

Serie

SCT

Fästetyp

Genomgående hål

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

20mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

4.2 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

673W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

167nC

Maximal arbetstemperatur

200°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

AEC-Q101

The STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.

Extremely low gate charge and input capacitance

Very fast and robust intrinsic body diode

Relaterade länkar