STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 12 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET II

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

11 525,00 kr

(exkl. moms)

14 400,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 02 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +4,61 kr11 525,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
151-936
Tillv. art.nr:
STD12NF06T4
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

12A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

TO-252

Serie

STripFET II

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

0.1Ω

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Maximal effektförlust Pd

30W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

12nC

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS Compliant

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN
STMicroelectronics Power MOSFET-serien har utvecklats med hjälp av STripFET-processen, som är speciellt utformad för att minimera ingångskapaciteten och grindladdningen. Detta gör enheten lämplig för användning som primär omkopplare i avancerade isolerade DC-till-DC-omvandlare med hög effektivitet för telekommunikation och datorer.

Exceptionell dv/dt-kapacitet

100 % avalanche-testade

Låg grindladdning

Relaterade länkar