DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 1.6 A 100 V Förbättring, 4 Ben, SOT-23, DMN AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 921-1048
- Tillv. art.nr:
- DMN10H220L-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Få en mängdrabatt
Lägg till 150 till för att spara 10%
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 30 enheter)*
151,17 kr
(exkl. moms)
188,97 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 540 enhet(er) från den 16 november 2026
- Dessutom levereras 1 110 enhet(er) från den 23 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 30 - 120 | 5,039 kr | 151,17 kr | - |
| 150 - 420 | 4,535 kr | 136,05 kr | 10% |
| 450 + | 4,299 kr | 128,97 kr | 14% |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 921-1048
- Tillv. art.nr:
- DMN10H220L-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 1.6A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Serie | DMN | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 250mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 8.3nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 700mV | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -16V, +16V | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.3W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 3mm | |
| Höjd | 1mm | |
| Bredd | 1.4mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 1.6A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Serie DMN | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 250mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 8.3nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 700mV | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -16V, +16V | ||
Maximal effektförlust Pd 1.3W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 3mm | ||
Höjd 1mm | ||
Bredd 1.4mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101 | ||
N-kanal MOSFET, 100 V till 950 V, Diodes Inc
MOSFET-transistorer, inbyggda dioder
Relaterade länkar
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 1.6 A 100 V Förbättring, 4 Ben, SOT-23, DMN AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 9.4 A 20 V Förbättring, 6 Ben, UDFN, DMN AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 8 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, DMN AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 5.8 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 2.9 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 4.2 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 3.8 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 2.5 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMN AEC-Q101