STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 5.8 A 900 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, MDmesh, SuperMESH

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

77,17 kr

(exkl. moms)

96,462 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 146 enhet(er) är redo att levereras
  • Dessutom levereras 1 318 enhet(er) från den 16 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 1838,585 kr77,17 kr
20 - 9824,04 kr48,08 kr
100 - 19818,33 kr36,66 kr
200 +16,40 kr32,80 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
687-5140
Tillv. art.nr:
STB6NK90ZT4
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

5.8A

Maximal källspänning för dränering Vds

900V

Serie

MDmesh, SuperMESH

Kapseltyp

TO-263

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

2Ω

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

140W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

46.5nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30V

Framåtriktad spänning Vf

1.6V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

10.4mm

Bredd

9.35mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

4.6mm

Fordonsstandard

Nej

N-kanal MDmeshTM SuperMESHTM, 700 V till 1 200 V, STMicroelectronics


MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.