IXYS N Kanal, MOSFET, 26 A 1.2 kV Förbättring, 3 Ben, TO-264, HiperFET, Polar

Se alla MOSFET-transistor

Antal (25 enheter, i ett rör med 25)*

8 262,25 kr

(exkl. moms)

10 327,75 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 25 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
25 +330,49 kr8 262,25 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
920-0877
Tillv. art.nr:
IXFK26N120P
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

IXYS

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

26A

Maximal källspänning för dränering Vds

1.2kV

Kapseltyp

TO-264

Serie

HiperFET, Polar

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

460mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

225nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

960W

Framåtriktad spänning Vf

1.5V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-30V, +30V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

26.16mm

Längd

19.96mm

Bredd

5.13mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

N-kanals effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™-serie


N-kanaliga effekt-MOSFET:er med snabb inbyggd diod (HiPerFET™) från IXYS

MOSFET-transistorer, IXYS


Ett brett utbud av avancerade diskreta effekt-MOSFET-enheter från IXYS

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.