IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 36 A 300 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HiperFET, Polar

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 rör med 50 enheter)*

2 426,05 kr

(exkl. moms)

3 032,55 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 300 enhet(er) från den 14 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per rör*
50 - 5048,521 kr2 426,05 kr
100 - 20046,583 kr2 329,15 kr
250 +45,127 kr2 256,35 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
920-0739
Tillv. art.nr:
IXTP36N30P
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

IXYS

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

36A

Maximal källspänning för dränering Vds

300V

Kapseltyp

TO-220

Serie

HiperFET, Polar

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

110mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

70nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

300W

Framåtriktad spänning Vf

1.5V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

10.66mm

Höjd

9.15mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

N-kanals effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™-serie


N-kanaliga effekt-MOSFET:er med snabb inbyggd diod (HiPerFET™) från IXYS

MOSFET-transistorer, IXYS


Ett brett utbud av avancerade diskreta effekt-MOSFET-enheter från IXYS

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.