Infineon N Kanal, MOSFET, 43 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 919-4996
- Tillv. art.nr:
- IRF3415PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (50 enheter, i ett rör med 50)*
1 041,60 kr
(exkl. moms)
1 302,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 50 enhet(er) från den 28 september 2026
- Dessutom levereras 1 000 enhet(er) från den 18 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 20,832 kr | 1 041,60 kr |
| 100 - 200 | 18,332 kr | 916,60 kr |
| 250 - 450 | 17,082 kr | 854,10 kr |
| 500 - 950 | 15,832 kr | 791,60 kr |
| 1000 + | 14,793 kr | 739,65 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 919-4996
- Tillv. art.nr:
- IRF3415PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 43A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 150V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 42mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20, +20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 200W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 200nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 8.77mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 10.54mm | |
| Bredd | 4.69mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 43A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 150V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 42mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20, +20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 200W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 200nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 8.77mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 10.54mm | ||
Bredd 4.69mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
N-kanals effekt-MOSFET 150V till 600V, Infineon
Infineons sortiment av diskreta HEXFET® power MOSFETs omfattar N-kanaliga enheter i ytmonterade och blyade paket och formfaktorer som kan hantera nästan alla utmaningar när det gäller kortlayout och termisk design. Hela sortimentets riktmärke för motstånd minskar ledningsförlusterna, vilket gör det möjligt för konstruktörerna att leverera optimal systemeffektivitet.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 43 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 43 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 43 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 43 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 43 A 43 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 35 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 51 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 17 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET