Infineon N Kanal, MOSFET, 43 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 827-3944
- Tillv. art.nr:
- IRFB38N20DPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Få en mängdrabatt
Lägg till 50 till för att spara 88,40 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
176,06 kr
(exkl. moms)
220,08 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 30 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 920 enhet(er) från den 10 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 5 - 45 | 35,212 kr | 176,06 kr | - |
| 50 - 120 | 33,444 kr | 167,22 kr | 88,40 kr |
| 125 - 245 | 32,01 kr | 160,05 kr | 400,25 kr |
| 250 - 495 | 29,948 kr | 149,74 kr | 1 316,00 kr |
| 500 + | 28,18 kr | 140,90 kr | 3 516,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 827-3944
- Tillv. art.nr:
- IRFB38N20DPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 43A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 200V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 54mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -30V, +30V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 60nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 300W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 10.67mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 4.69mm | |
| Höjd | 16.51mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 43A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 200V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 54mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -30V, +30V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 60nC | ||
Maximal effektförlust Pd 300W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 10.67mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 4.69mm | ||
Höjd 16.51mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon HEXFET-serien MOSFET, 43 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 300 W maximal effektförlust - IRFB38N20DPBF
Denna MOSFET är utformad för hög effektivitet och effektiv värmehantering i olika applikationer. Dess robusta N-kanalutformning med förstärkningsläge möjliggör betydande kontinuerliga dräneringsströmmar samtidigt som den säkerställer låg påslagningsresistans. Denna komponent är väl lämpad för energihanteringslösningar, vilket förbättrar prestanda och tillförlitlighet i många elektroniska miljöer.
Funktioner & fördelar
• Stöder en maximal kontinuerlig dräneringsström på 43 A
• Ger en låg Rds(on) på 54 mΩ för att minimera energiförlusten
• Klarar drain-source-spänningar på upp till 200 V
• Hög drifttemperaturtolerans från -55 °C till +175 °C
• Utformad för höghastighetsomkopplingstillämpningar med låg grindladdning
• Integreras effektivt i DC/DC-omvandlare och nätaggregat
Användningsområden
• Används i högfrekventa DC/DC-omvandlare för effektiv strömhantering
• Passar till plasmaskärmar
• Används i industriella automationssystem som kräver konsekvent omkoppling
• Används i nätaggregat där termisk effektivitet är avgörande
• Idealisk för elektronikkonstruktioner som behöver hög prestanda vid förhöjda temperaturer
Vilken typ av strömstyrka kan den hantera i tillämpningar med hög temperatur?
Den kan hantera upp till 30 A kontinuerlig dräneringsström vid 100 °C, vilket säkerställer konsekvent prestanda vid förhöjda temperaturer.
Hur fungerar den här komponenten i högfrekvenstillämpningar?
Den är specifikt utformad för höghastighetsomkoppling, med låg grindladdning och minimal fördröjning, vilket gör den lämplig för sådana tillämpningar.
Vilka förpackningsalternativ finns för denna produkt?
Den finns tillgänglig i en TO-220AB-förpackning, vilket underlättar montering med genomgående hål för enkel integrering i elektroniska kretsar.
Kan detta användas tillsammans med andra strömhanteringsenheter?
Ja, den används ofta tillsammans med olika DC/DC-omvandlare för att förbättra effektiviteten i strömförsörjningssystem.
Vilka åtgärder bör vidtas för installation?
Se till att korrekt värmehantering är på plats, inklusive kylelement, för att bibehålla optimala kopplingstemperaturer under drift.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 43 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 43 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 43 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 43 A 43 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 95 A 60 V Förbättring, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 46 A 250 V Förbättring, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 35 A 150 V Förbättring, TO-220, HEXFET