Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 31 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 919-4924
- Tillv. art.nr:
- IRF5305PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 50 enheter)*
510,05 kr
(exkl. moms)
637,55 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 100 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 2 000 enhet(er) från den 04 februari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 10,201 kr | 510,05 kr |
| 100 - 200 | 7,956 kr | 397,80 kr |
| 250 - 450 | 7,446 kr | 372,30 kr |
| 500 - 1200 | 6,937 kr | 346,85 kr |
| 1250 + | 6,427 kr | 321,35 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 919-4924
- Tillv. art.nr:
- IRF5305PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 31A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 55V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 60mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 63nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.3V | |
| Maximal effektförlust Pd | 110W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 4.69mm | |
| Höjd | 8.77mm | |
| Längd | 10.54mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 31A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 55V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 60mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 63nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.3V | ||
Maximal effektförlust Pd 110W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 4.69mm | ||
Höjd 8.77mm | ||
Längd 10.54mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- MX
MOSFET i Infineons HEXFET-serie, 31 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 110 W maximal effektförlust - IRF5305PBF
Denna MOSFET är skräddarsydd för högeffektiva kraftapplikationer och ger både flexibilitet och tillförlitlighet. Dess Enhancement Mode-funktion gör den lämplig för olika system som kräver kontrollerad omkoppling, särskilt i industri- och automationsmiljöer.
Funktioner & fördelar
• Kontinuerlig avtappningsström på 31 A stöder krävande applikationer
• Spänningsklassning på 55 V ger tillförlitlig växling
• Låg on-resistans på 60mΩ minskar strömförlusten
• TO-220AB-paketdesign förbättrar termisk prestanda
• Gate-source-spänningsområde på ±20V för många olika applikationer
• Snabb optimering av växlingarna ökar systemets totala effektivitet
Användningsområden
• Används i motorstyrsystem för effektiv drift
• Används i strömförsörjningskretsar för stabil prestanda
• Integrerad i elektroniska enheter som kräver effektiv omkopplingsförmåga
• Lämplig för användning i system för förnybar energi
Vilket är temperaturintervallet för drift?
Den arbetar i intervallet -55°C till +175°C, vilket gör den lämplig för extrema förhållanden.
Hur påverkar pakettypen prestandan?
TO-220AB-paketet ger lågt värmemotstånd, vilket förbättrar kylningseffektiviteten under drift.
Kan den hantera applikationer med pulsad dräneringsström?
Ja, den har stöd för pulsade dräneringsströmmar på upp till 110 A, vilket ger tillräcklig prestanda för transienta krav.
Vilken typ av transistor är detta?
Det är en Si MOSFET med P-kanal, optimerad för högeffektiva applikationer.
Är den kompatibel med automatiserade monteringsprocesser?
Ja, den genomgående håldesignen möjliggör integrering i automatiserade system och kretskort.
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 31 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 31 A 55 V Förbättring, 3 Ben, IPAK, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 31 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 31 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 31 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 19 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 12 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 74 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET