Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 40 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 919-4915
- Tillv. art.nr:
- IRF5210PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 50 enheter)*
860,15 kr
(exkl. moms)
1 075,20 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 07 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 17,203 kr | 860,15 kr |
| 100 - 200 | 14,623 kr | 731,15 kr |
| 250 + | 12,902 kr | 645,10 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 919-4915
- Tillv. art.nr:
- IRF5210PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 40A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 60mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 200W | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.6V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 180nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 10.54mm | |
| Höjd | 8.77mm | |
| Bredd | 4.69mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 40A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 60mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 200W | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.6V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 180nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 10.54mm | ||
Höjd 8.77mm | ||
Bredd 4.69mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
MOSFET i Infineons HEXFET-serie, 40 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 200 W maximal effektförlust - IRF5210PBF
Denna MOSFET är avsedd för olika elektriska och elektroniska tillämpningar. Den är optimerad för hög verkningsgrad och stöder automations- och styrsystem där effektiv effekthantering är avgörande. De robusta specifikationerna möjliggör exakt kretsstyrning, vilket garanterar tillförlitlighet och effektivitet i krävande miljöer.
Funktioner & fördelar
• 40A kontinuerlig dräneringsström för högeffektsapplikationer
• 100V maximal drain-source-spänning ger mångsidiga driftsmöjligheter
• P-kanalsdesign förenklar kretskonfigurationen
• Funktionalitet för förbättringsläge underlättar effektiv energihantering
• Hög maximal effektavledningskapacitet förbättrar den termiska prestandan
Användningsområden
• Kraftomkoppling i industriell automation
• DC-DC-omvandlare för effektiv strömförsörjning
• Motorstyrkretsar för precision
• Scenarier för hantering av toppeffekt i elektronik
Vilken är den maximala driftstemperaturen för den här komponenten?
Komponenten kan arbeta vid en maximal temperatur på +175°C, vilket gör den lämplig för applikationer med höga temperaturer.
Hur gynnar den låga on-resistansen kretsens prestanda?
Det låga on-motståndet leder till minskade effektförluster, vilket ger ökad energieffektivitet och förbättrad värmehantering.
Är detta lämpligt för applikationer i fordonssystem?
Ja, dess robusta specifikationer och termiska egenskaper gör den lämplig för fordonsapplikationer där tillförlitlighet är avgörande.
Vilken typ av kretskonfigurationer kan den integreras i?
Denna komponent kan integreras sömlöst i olika konfigurationer, inklusive enkla och parallella arrangemang, vilket ger flexibilitet i konstruktionen.
Hur ska den installeras för att ge optimal prestanda?
Säkerställ korrekt termisk kontakt med en kylfläns och följ rekommenderade riktlinjer för PCB-layout för att förbättra prestanda och tillförlitlighet.
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 40 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 19 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 12 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 23 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 74 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 31 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 14 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 230 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET AEC-Q101