Vishay Typ P Kanal, Effekt-MOSFET, -1.8 A -400 V Förbättring, 3 Ben, IPAK, IRFU9310
- RS-artikelnummer:
- 919-4505
- Tillv. art.nr:
- IRFU9310PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Antal (1 rör med 75 enheter)*
710,78 kr
(exkl. moms)
888,45 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 13 275 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 75 + | 9,477 kr | 710,78 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 919-4505
- Tillv. art.nr:
- IRFU9310PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | -1.8A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | -400V | |
| Kapseltyp | IPAK | |
| Serie | IRFU9310 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 7Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | -4V | |
| Maximal effektförlust Pd | 50W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 13nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 6.22mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Bredd | 2.38mm | |
| Längd | 6.73mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id -1.8A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds -400V | ||
Kapseltyp IPAK | ||
Serie IRFU9310 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 7Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Framåtriktad spänning Vf -4V | ||
Maximal effektförlust Pd 50W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 13nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 6.22mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Bredd 2.38mm | ||
Längd 6.73mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Vishay IRFU9310-serien effekt-MOSFET, -400 V maximal dräneringskällspänning, -1,8 A maximal kontinuerlig dräneringsström - IRFU9310PBF
Denna effekt-MOSFET är en P-kanal-omkopplingsenhet som är utformad för högspänningstillämpningar inom industriell elektronik. Den fungerar som en förstärkningstransistor som är lämplig för genomgående hålmontering och är avsedd för kretsar som kräver omkoppling med negativ polaritet med måttlig ström och hög blockeringsspänning.
Funktioner och fördelar:
• Klassad för -400 V drain-källspänning som möjliggör högspänningsomkoppling
• Maximal kontinuerlig dräneringsström -1,8 A för drift med måttlig belastning
• Maximal effektförlust 50 W möjliggör robust termisk hantering
• Typisk grindladdning 13 nC minskar omkopplingsförluster
• Maximal gate-källspänning 20 V ger säker gate-drivmarginal
• Driftområde -55 °C till 150 °C möjliggör breda temperaturmiljöer
• Maximal kontinuerlig dräneringsström -1,8 A för drift med måttlig belastning
• Maximal effektförlust 50 W möjliggör robust termisk hantering
• Typisk grindladdning 13 nC minskar omkopplingsförluster
• Maximal gate-källspänning 20 V ger säker gate-drivmarginal
• Driftområde -55 °C till 150 °C möjliggör breda temperaturmiljöer
Användningsområden
• Lämpligt för högspännings-polaritetsomvändningskretsar i strömförsörjningar
• Idealisk för lastväxling i industriella automationspaneler
• Används för omkoppling i diskreta steg i motorstyrningselektronik
• Kan användas för omkoppling på negativ sida i strömfördelningsmoduler
• Idealisk för lastväxling i industriella automationspaneler
• Används för omkoppling i diskreta steg i motorstyrningselektronik
• Kan användas för omkoppling på negativ sida i strömfördelningsmoduler
Vilken kapslingstyp använder den för prototyputveckling och montering?
Enheten levereras i en IPAK-förpackning med genomgående hål med tre stift för hand- eller våglödningsprocesser.
Hur påverkar påslagningsresistansen termisk prestanda?
Det maximala drain-source-motståndet på 7 Ω ökar ledningsförlusterna vid högre strömmar, vilket kräver tillräcklig kylelement för att bibehålla kopplingstemperaturen inom gränserna.
Vilka miljöbegränsningar styr kontinuerlig drift?
Den kan drivas ned till -55 °C och upp till 150 °C, så värmehantering och omgivningsförhållanden måste övervägas för tillförlitlig långvarig användning.
Är den lämplig för system av fordonskvalitet?
Komponenten är inte specificerad enligt fordonsstandarder
endast RoHS-godkännanden.
Relaterade länkar
- Vishay Typ P Kanal, Effekt-MOSFET, -1.8 A -400 V Förbättring, 3 Ben, IPAK, IRFU9310
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 1.7 A 400 V, 3 Ben, IPAK, IRFU310
- Vishay Typ P Kanal, Effekt-MOSFET, -1.8 A -60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, IRFL9014
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 1.4 A 600 V Förbättring, 3 Ben, IPAK, IRFU1N60A
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 2.4 A 500 V Förbättring, 3 Ben, IPAK, IRFU420
- DiodesZetex 4 Typ N, Typ P Kanal Helbrygga, Effekt-MOSFET, 1.8 A 60 V Förbättring, 8 Ben
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 4.4 A 800 V Förbättring, 3 Ben, IPAK, E
- DiodesZetex 4 Typ N, Typ P Kanal Helbrygga, Effekt-MOSFET, 1.8 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC
