Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 1.4 A 600 V Förbättring, 3 Ben, IPAK, IRFU1N60A

RS-artikelnummer:: 812-0660
Tillv. art.nr:: IRFU1N60APBF
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 1.4 A 600 V Förbättring, 3 Ben, IPAK, IRFU1N60A

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

148,38 kr

(exkl. moms)

185,48 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

470 enhet(er) är redo att levereras

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
10 +	14,838 kr	148,38 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 812-0660
Tillv. art.nr:: IRFU1N60APBF
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Vishay
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	Effekt-MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	1.4A
	Maximal källspänning för dränering Vds	600V
	Kapseltyp	IPAK
	Serie	IRFU1N60A
	Typ av fäste	Genomgående hål
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	7Ω
	Kanalläge	Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	14nC
	Framåtriktad spänning Vf	1.6V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	-30, +30V
	Maximal effektförlust Pd	36W
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Längd	6.73mm
	Bredd	2.39mm
	Höjd	6.22mm
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Vishay
	Kanaltyp N
	Produkttyp Effekt-MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 1.4A
	Maximal källspänning för dränering Vds 600V
	Kapseltyp IPAK
	Serie IRFU1N60A
	Typ av fäste Genomgående hål
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 7Ω
	Kanalläge Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 14nC
	Framåtriktad spänning Vf 1.6V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs -30, +30V
	Maximal effektförlust Pd 36W
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Längd 6.73mm
	Bredd 2.39mm
	Höjd 6.22mm
	Standarder/godkännanden RoHS
	Fordonsstandard Nej

COO (ursprungsland):: MY

Vishay IRFU1N60A-serien effekt-MOSFET, 600 V drain-källspänning, 1,4 A kontinuerlig drain-ström – IRFU1N60APBF

Denna effekt-MOSFET är en högspänningstransistor med N-kanal som är utformad för montering med genomgående hål i industriell elektronik. Den är avsedd för tillämpningar som kräver hantering av hög drain-source-spänning och måttlig kontinuerlig ström, och fungerar i ett brett temperaturområde för krävande miljöer. Enheten uppfyller RoHS och levereras i en IPak-förpackning med genomgående hål.

Funktioner och fördelar:

• 600 V drain-source-spänning för högspänningsomkopplingskapacitet
• Kontinuerlig dräneringsström på 1.4 A som stöder måttliga belastningsströmmar
• Maximal Rds(on) på 7 Ω minskar ledningsförlusterna vid låga strömmar
• 36 W effektförlust möjliggör hållbar hantering av termisk belastning
• 14 nC typisk grindladdning möjliggör effektivt grinddrivarbeteende
• Gate-source tål upp till 30 V för robust styrspänningsmarginal

Användningsområden

• Lämplig för offline-strömförsörjningar som kräver högspänningsswitchar
• Används för belysning av förkopplingsdon och lampor i styrkretsar
• Idealisk för grindsteg för motordrivning i system med låg effekt
• Kan användas för snubber- eller klämströmställare i omvandlare
• Används med sensor- och mätfrontändar som kräver hög Vds

Vilka termiska extremer kan enheten tolerera under drift?

Den fungerar från -55 °C upp till 150 °C, vilket möjliggör användning i industriella och förhöjda temperaturer.

Hur är transistorn monterad på kortet?

Den är avsedd för genomgående hålmontering i en IPak-förpackning för säker mekanisk fasthållning.

Vad är den typiska framspänningen i ledningsscenarier?

Enheten uppvisar en framåtvänd spänning på 1,6 V under de angivna testförhållandena för kropp-diodledningsförmåga.

Kräver grinden särskild drivning på grund av laddning?

Med en typisk grindladdning på 14 nC bör grinddrivare väljas för att ge tillräcklig ström för den avsedda omkopplingshastigheten utan överdrivningsförluster.