Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 1.2 A -60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, Si2309CDS

RS-artikelnummer:: 919-0262
Tillv. art.nr:: SI2309CDS-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 1.2 A -60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, Si2309CDS

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

6 780,00 kr

(exkl. moms)

8 460,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Sista RS lager

Slutlig(a) 12 000 enhet(er), redo att levereras

Enheter	Per enhet	Per rulle*
3000 +	2,26 kr	6 780,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 919-0262
Tillv. art.nr:: SI2309CDS-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Vishay
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	Typ P
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	1.2A
	Maximal källspänning för dränering Vds	-60V
	Kapseltyp	SOT-23
	Serie	Si2309CDS
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	345mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Framåtriktad spänning Vf	-1.2V
	Maximal effektförlust Pd	1.7W
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	-20V, +20V
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	2.7nC
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Längd	3.04mm
	Bredd	1.4mm
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Höjd	1.02mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Vishay
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp Typ P
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 1.2A
	Maximal källspänning för dränering Vds -60V
	Kapseltyp SOT-23
	Serie Si2309CDS
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 345mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Framåtriktad spänning Vf -1.2V
	Maximal effektförlust Pd 1.7W
	Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 2.7nC
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Längd 3.04mm
	Bredd 1.4mm
	Standarder/godkännanden RoHS
	Höjd 1.02mm
	Fordonsstandard Nej

COO (ursprungsland):: CN

Si2309CDS-serien MOSFET från Vishay, -60 V drain-källspänning, 1,2 A kontinuerlig drain-ström – SI2309CDS-T1-GE3

Denna p-kanal MOSFET är en ytmonterad transistor som är utformad för omkopplings- och styrningsuppgifter i kompakta elektroniska monteringar. Den fungerar som en förstärkningsenhet som är lämplig för låga till medelstora strömkretsar, vilket ger en balans mellan spänningshantering och termisk hållbarhet för industriella tillämpningar.

Funktioner och fördelar:

• Maximal Vds på -60 V för högspänningsomkopplingsförmåga • 1,2 A kontinuerlig dräneringsström för måttlig belastningshantering • 345 mΩ Rds(on) för förutsägbara ledningsförluster • 2,7 nC typisk grindladdning för effektiv grindstyrning • 1,7 W effektförlust som stöder termisk budgetplanering • Driftområde -55 °C till 150 °C för brett temperaturområde

Användningsområden

• Lämplig för lastswitchning i automationsstyrmoduler • Idealisk för strömskenor med skyddskretsar mot omvänd polaritet • Används med batterihantering och strömfördelningskort • Kan användas för nivåväxling och småsignaler

Vilken kapslingstyp används för kompakta kortlayouter?

Den levereras i ett SOT‐23-paket konfigurerat för tre-stifts ytmontering, vilket underlättar tät kretskortsmontering.

Hur hanterar enheten kraven på grindstyrning?

Grinden kan drivas inom ett intervall på ±20 V i förhållande till källan, vilket möjliggör kompatibilitet med vanliga styrspänningar samtidigt som grindspänningen begränsas.

Vilka termiska överväganden bör jag tillåta i designen?

Med maximal effektförlust på 1,7 W bör kortkoppar och termiska ledningar vara dimensionerade för att hantera kopplingstemperatur under belastning inom det angivna intervallet -55 °C till 150 °C.

Finns det miljö- eller materialbegränsningar att notera?

Komponenten uppfyller RoHS-kraven, vilket indikerar att begränsade farliga ämnen kontrolleras vid tillverkningen.