Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 6 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET
- RS-artikelnummer:
- 180-7829
- Tillv. art.nr:
- SI2399DS-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 20 enheter)*
79,30 kr
(exkl. moms)
99,12 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 1 340 enhet(er) levereras från den 07 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 3,965 kr | 79,30 kr |
| 200 - 480 | 3,887 kr | 77,74 kr |
| 500 - 980 | 2,929 kr | 58,58 kr |
| 1000 - 1980 | 2,414 kr | 48,28 kr |
| 2000 + | 1,904 kr | 38,08 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 180-7829
- Tillv. art.nr:
- SI2399DS-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 6A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 67mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.6W | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.2V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 10nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 3.04mm | |
| Höjd | 1.12mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 6A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Serie TrenchFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 67mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 1.6W | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.2V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 10nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 3.04mm | ||
Höjd 1.12mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Vishay MOSFET
The Vishay surface mount P-channel MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 20V and a maximum gate-source voltage of 12V. It has drain-source resistance of 34mohm at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum power dissipation of 2.5W and continuous drain current of 6A. The minimum and a maximum driving voltage for this transistor are 2.5V and 10V respectively. The MOSFET has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.
Features and Benefits
• Halogen free
• Lead (Pb) free
• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C
• TrenchFET power MOSFET
Applications
• DC/DC converters
• Load switch
• PA switch
Certifications
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
• Rg tested
Relaterade länkar
- Vishay Typ P Kanal 6 A 20 V Förbättring SOT-23, TrenchFET
- Vishay P-kanal Kanal -3.1 A -20 V Förbättring SOT-23, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal 3 A 80 V Förbättring SOT-23, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal 5.9 A 20 V Förbättring SOT-23, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal 2.2 A 80 V Förbättring SOT-23, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal 7.6 A 30 V Förbättring SOT-23, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal 5 A 30 V Förbättring SOT-23, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal 3.5 A 30 V Förbättring SOT-23, TrenchFET