Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 6 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET
- RS-artikelnummer:
- 180-7829
- Tillv. art.nr:
- SI2399DS-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 20 enheter)*
95,42 kr
(exkl. moms)
119,28 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 1 320 enhet(er) levereras från den 25 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 4,771 kr | 95,42 kr |
| 200 - 480 | 4,676 kr | 93,52 kr |
| 500 - 980 | 3,528 kr | 70,56 kr |
| 1000 - 1980 | 2,901 kr | 58,02 kr |
| 2000 + | 2,291 kr | 45,82 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 180-7829
- Tillv. art.nr:
- SI2399DS-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 6A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 67mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.6W | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.2V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 10nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 3.04mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.12mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 6A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Serie TrenchFET | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 67mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 1.6W | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.2V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 10nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 3.04mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.12mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Vishay MOSFET
Vishays ytmonterade P-kanal MOSFET är en ny tidsålderprodukt med en dräneringskällspänning på 20 V och en maximal grindkällspänning på 12 V. Den har drain-source-motstånd på 34 mohm vid en gate-source-spänning på 10 V. Den har en maximal effektförlust på 2,5 W och en kontinuerlig dräneringsström på 6 A. Minsta och maximala drivspänning för denna transistor är 2,5 V respektive 10 V. MOSFET har optimerats för lägre omkopplings- och ledningsförluster. MOSFET erbjuder utmärkt effektivitet tillsammans med en lång och produktiv livslängd utan att kompromissa med prestanda eller funktionalitet.
Funktioner och fördelar
• Halogenfria
• Fri från bly (Pb)
• Driftstemperaturområden mellan -55 °C och 150 °C
• TrenchFET effekt MOSFET
Användningsområden
• DC/DC-omvandlare
• Lastbrytare
• PA-omkopplare
Certifieringar
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
• Rg-testad
Relaterade länkar
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 6 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET, -3.1 A -20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 5.9 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 2.2 A 80 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 2.7 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 3.5 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 7.6 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 5 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET