Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 4.3 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, Si2323DDS

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 20 enheter)*

159,16 kr

(exkl. moms)

198,96 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 21 juni 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
20 - 1807,958 kr159,16 kr
200 - 4805,886 kr117,72 kr
500 - 9804,934 kr98,68 kr
1000 - 19804,379 kr87,58 kr
2000 +3,187 kr63,74 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
812-3110
Tillv. art.nr:
SI2323DDS-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

Typ P

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

4.3A

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Kapseltyp

SOT-23

Serie

Si2323DDS

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

75mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

8V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

24nC

Framåtriktad spänning Vf

-0.79V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

1.7W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

1.4mm

Höjd

1.02mm

Längd

3.04mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN

P-kanal MOSFET, 8 V till 20 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.