Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 18 A 55 V, 3 Ben, TO-252, HEXFET

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
217-2627
Tillv. art.nr:
IRFR5505TRLPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ P

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström (Id)

18 A

Maximal källspänning för dränering (Vds)

55 V

Antal ben

3

Kapseltyp

TO-252

Serie

HEXFET

Fordonsstandard

Nej

Höjd

6.22 mm

Längd

6.73 mm

Maximal drain-källresistans (Rds)

110 mΩ

Maximal spänning för grindkälla (Vgs)

20 V

Maximal arbetstemperatur

175 °C

Maximal effektförlust (Pd)

57 W

Minsta arbetsstemperatur

-55 °C

Typ av fäste

Yta

Standarder/godkännanden

Lead-Free

Typisk grindladdning (Qg) @ Vgs

32 nC

Bredd

2.39 mm

The Infineon -55V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package.

RoHS Compliant

Low RDS(on)

Industry-leading quality

Dynamic dv/dt Rating

Fast Switching

Fully Avalanche Rated

175°C Operating Temperature

P-Channel MOSFET

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.