Infineon N Kanal, MOSFET, 260 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 913-4032
- Tillv. art.nr:
- IRLB3813PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 50 enheter)*
633,70 kr
(exkl. moms)
792,10 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 11 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 12,674 kr | 633,70 kr |
| 100 - 200 | 10,647 kr | 532,35 kr |
| 250 - 450 | 10,013 kr | 500,65 kr |
| 500 - 950 | 9,379 kr | 468,95 kr |
| 1000 + | 9,05 kr | 452,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 913-4032
- Tillv. art.nr:
- IRLB3813PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 260A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 230W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 57nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 4.83mm | |
| Längd | 10.67mm | |
| Höjd | 9.02mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 260A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 230W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 57nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 4.83mm | ||
Längd 10.67mm | ||
Höjd 9.02mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- MX
N-kanals effekt-MOSFET 30V, Infineon
Infineons sortiment av diskreta HEXFET® power MOSFETs omfattar N-kanals enheter i ytmonterade och blyade kapslingar. Och formfaktorer som kan hantera nästan alla utmaningar när det gäller kortlayout och termisk design. Hela sortimentets riktmärke för motstånd minskar ledningsförlusterna, vilket gör det möjligt för konstruktörerna att leverera optimal systemeffektivitet.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 260 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 79 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 97 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 65 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 9.7 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 29 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 42 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 64 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET