Infineon N Kanal, MOSFET, 47 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C3

Se alla MOSFET-transistor
Få en mängdrabatt

Lägg till 60 till för att spara 241,50 kr

Visa alternativ för volympriser

Antal (1 rör med 30 enheter)*

2 415,18 kr

(exkl. moms)

3 018,96 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 240 enhet(er) är redo att levereras
  • Dessutom levereras 240 enhet(er) från den 21 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per rör*
Besparing
30 - 3080,506 kr2 415,18 kr-
60 - 6076,481 kr2 294,43 kr241,50 kr
90 +71,65 kr2 149,50 kr797,04 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
911-4849
Tillv. art.nr:
SPW47N60C3FKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

47A

Maximal källspänning för dränering Vds

650V

Kapseltyp

TO-247

Serie

CoolMOS C3

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

70mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

415W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

252nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-20V, +20V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

15.9mm

Bredd

5.3mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

20.95mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
PH

Infineon CoolMOS™ MOSFET i C3-serien, 47A maximal kontinuerlig dräneringsström, 415W maximal effektförlust - SPW47N60C3FKSA1


Denna högspännings-MOSFET är avsedd för applikationer inom kraftelektronik. Med sin N-kanalskonfiguration ger den konsekvent prestanda i olika miljöer. Den kan hantera en kontinuerlig dräneringsström på 47 A och har flera användningsområden inom industri och automation, vilket garanterar tillförlitlighet och effektivitet vid växlingsuppgifter.

Funktioner & fördelar


• Hög prestanda med en maximal märkspänning på 650 V

• Lågt maximalt drain-source-motstånd på 70 mΩ förbättrar energieffektiviteten

• Robust strömavledningskapacitet på 415 W för intensiva applikationer

• Kanaler som konfigurerats för Enhancement Mode ger förbättrad kontroll

• Utformad för genomgående hålmontering för enkel integrering

Användningsområden


• Lämplig för energiomvandling inom förnybar energi

• Används i motordrivna kretsar för ökad effektivitet

• Används i krafthanteringssystem för ökad stabilitet

Vilket är det optimala temperaturintervallet för drift av denna enhet?


Enheten arbetar effektivt mellan -55°C och +150°C, vilket ökar dess tillförlitlighet i varierande miljöer.

Hur kan den integreras i befintliga elsystem?


Denna MOSFET är konstruerad för genomgående hålmontering, vilket gör den kompatibel med vanliga PCB-layouter för enkel integrering.

Vilka är säkerhetsaspekterna vid användning av denna komponent?


Det är viktigt att säkerställa att gate-source-spänningen håller sig inom -20V till +20V för att förhindra skador under drift och upprätthålla systemstabiliteten.

Vilka typer av applikationer kräver så hög effektkapacitet?


Applikationer som kräver betydande effekthantering, t.ex. motorstyrningar, system för förnybar energi och industriell automation, drar nytta av dess robusta effektklassning.


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.