Infineon N Kanal, MOSFET, 47 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C3
- RS-artikelnummer:
- 911-4849
- Tillv. art.nr:
- SPW47N60C3FKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (30 enheter, i ett rör med 30)*
2 415,18 kr
(exkl. moms)
3 018,96 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 240 enhet(er) från den 28 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 80,506 kr | 2 415,18 kr |
| 60 - 60 | 76,481 kr | 2 294,43 kr |
| 90 + | 71,65 kr | 2 149,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 911-4849
- Tillv. art.nr:
- SPW47N60C3FKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 47A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Serie | CoolMOS C3 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 70mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 415W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 252nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20, +20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 15.9mm | |
| Höjd | 20.95mm | |
| Bredd | 5.3mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 47A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Serie CoolMOS C3 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 70mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 415W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 252nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20, +20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 15.9mm | ||
Höjd 20.95mm | ||
Bredd 5.3mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- PH
Infineon CoolMOS™ MOSFET i C3-serien, 47A maximal kontinuerlig dräneringsström, 415W maximal effektförlust - SPW47N60C3FKSA1
Denna högspännings-MOSFET är avsedd för applikationer inom kraftelektronik. Med sin N-kanalskonfiguration ger den konsekvent prestanda i olika miljöer. Den kan hantera en kontinuerlig dräneringsström på 47 A och har flera användningsområden inom industri och automation, vilket garanterar tillförlitlighet och effektivitet vid växlingsuppgifter.
Funktioner & fördelar
• Hög prestanda med en maximal märkspänning på 650 V
• Lågt maximalt drain-source-motstånd på 70 mΩ förbättrar energieffektiviteten
• Robust strömavledningskapacitet på 415 W för intensiva applikationer
• Kanaler som konfigurerats för Enhancement Mode ger förbättrad kontroll
• Utformad för genomgående hålmontering för enkel integrering
Användningsområden
• Lämplig för energiomvandling inom förnybar energi
• Används i motordrivna kretsar för ökad effektivitet
• Används i krafthanteringssystem för ökad stabilitet
Vilket är det optimala temperaturintervallet för drift av denna enhet?
Enheten arbetar effektivt mellan -55°C och +150°C, vilket ökar dess tillförlitlighet i varierande miljöer.
Hur kan den integreras i befintliga elsystem?
Denna MOSFET är konstruerad för genomgående hålmontering, vilket gör den kompatibel med vanliga PCB-layouter för enkel integrering.
Vilka är säkerhetsaspekterna vid användning av denna komponent?
Det är viktigt att säkerställa att gate-source-spänningen håller sig inom -20V till +20V för att förhindra skador under drift och upprätthålla systemstabiliteten.
Vilka typer av applikationer kräver så hög effektkapacitet?
Applikationer som kräver betydande effekthantering, t.ex. motorstyrningar, system för förnybar energi och industriell automation, drar nytta av dess robusta effektklassning.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 47 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C3
- Infineon N Kanal, MOSFET, 34 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C3
- Infineon N Kanal, MOSFET, 20.7 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C3 AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 14 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 111 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 77.5 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 11 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C3
- Infineon N Kanal, MOSFET, 17 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C3