STMicroelectronics Typ P Kanal, MOSFET, 2 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, STripFET
- RS-artikelnummer:
- 876-5702
- Tillv. art.nr:
- STR2P3LLH6
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 50 enheter)*
199,60 kr
(exkl. moms)
249,50 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 1 900 enhet(er) från den 27 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 50 - 450 | 3,992 kr | 199,60 kr |
| 500 - 1200 | 3,588 kr | 179,40 kr |
| 1250 + | 2,942 kr | 147,10 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 876-5702
- Tillv. art.nr:
- STR2P3LLH6
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 2A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Serie | STripFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 90mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.1V | |
| Maximal effektförlust Pd | 350mW | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 6nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1.3mm | |
| Längd | 3.04mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 2A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Serie STripFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 90mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.1V | ||
Maximal effektförlust Pd 350mW | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 6nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1.3mm | ||
Längd 3.04mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
P-kanal STripFETTM effekt-MOSFET, STMicroelectronics
STripFETTM MOSFET-enheter med ett brett brytningsspänningsområde erbjuder ultralåg grindladdning och lågt motstånd under drift.
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ P Kanal, MOSFET, 2 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, STripFET
- STMicroelectronics Typ P Kanal, MOSFET, 3 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 2.3 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, STripFET V
- STMicroelectronics Typ P Kanal, MOSFET, 60 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STripFET
- STMicroelectronics Typ P Kanal, MOSFET, 10 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, STripFET
- STMicroelectronics Typ P Kanal, MOSFET, 42 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STripFET
- STMicroelectronics Typ P Kanal, MOSFET, 10 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET
- STMicroelectronics Typ P Kanal, MOSFET, 12 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET